Le 2 aziende stannno cooperando attivamente nello studio delle prossime tecnologie produttive a 32 Nm con l’utilizzo delle soluzioni High-K e metal Gate simili a quelli proposti da Intel.
I primi test di fattibilità saranno condotti all’interno della fonderia IBM di East Fiskill, nello stato di New York, con wafer da 300 mm.
Il lancio sul mercato di queste nuove tecnologie è atteso non prima della fine del 2010.
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